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J-GLOBAL ID：200903064765961320

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子

Inventor： 趙 重 來 ,  李 殷 洪 ,  エル モスタファ ボウリム ,  文 昌 郁
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007112037
Publication number (International publication number)：2007300100
Application date： Apr. 20, 2007
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極20と、下部電極上に形成された第1酸化層22と、第1酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第2酸化層24と、第2酸化層上に形成されたバッファ層26と、バッファ層上に形成された上部電極28と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に形成された第1酸化層と、 前記第1酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第2酸化層と、 前記第2酸化層上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60