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J-GLOBAL ID：200903064766882173

加熱用マイクロ波吸収体及びそのマイクロ波吸収体を利用したマイクロ波加熱装置

Inventor： 国枝 義彦 ,  下古谷 博司 ,  伊藤 保之 ,  松尾 裕之 ,  大嶋 清 ,  岸 幸男
Applicant, Patent owner： 株式会社日本セラテック
Agent (1)： 金久保 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004088563
Publication number (International publication number)：2005276635
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】マイクロ波加熱装置内に被加熱体とともにマイクロ波吸収体を配置し、マイクロ波吸収体を加熱し、その輻射熱又は伝熱により被加熱体を加熱することにより、マイクロ波加熱方法の適用対象を拡大する。【解決手段】シリコンまたはシリコンを有する加熱用マイクロ波吸収体とする。5〜15mol%Al2O3の範囲では、約800°Cの極めて高い到達温度となり、高温用のマイクロ波加熱装置に適用できる。例えばPZT系セラミックスを焼成する焼成装置に適用できる。15〜35mol%Al2O3の範囲では、中高温用のマイクロ波加熱装置として適用できる。35〜80mol%Al2O3の範囲では、精密に到達温度を制御することができる中温用のマイクロ波加熱装置に適用できる。80〜90mol%Al2O3の範囲では、低温用のマイクロ波加熱装置として適用できる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

シリコンまたはシリコンを含有する加熱用マイクロ波吸収体。

IPC (4)：

H05B6/74 ,  C04B35/64 ,  F27D11/12 ,  H05B6/80

FI (5)：

H05B6/74 A ,  F27D11/12 ,  H05B6/80 Z ,  C04B35/64 F ,  C04B35/10 Z

F-Term (17)：

3K090AA01 ,  3K090AA02 ,  3K090AB13 ,  3K090BB01 ,  3K090EB06 ,  3K090PA00 ,  4G030AA36 ,  4G030AA64 ,  4G030BA21 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4K063AA07 ,  4K063BA04 ,  4K063CA03 ,  4K063FA82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-208401号公報
  
• マイクロ波加熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349748   Applicant：株式会社豊田中央研究所