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J-GLOBAL ID:200903064771221398

真空処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 保立 浩一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998020262
Publication number (International publication number):1999204626
Application date: Jan. 16, 1998
Publication date: Jul. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 基板の裏面におけるパーティクルの発生を効果的に抑制した真空処理装置を提供する。【解決手段】 静電吸着機構5によって静電気を誘起させて基板9を保持する基板ホルダー1の基板保持面のうちの基板9の裏面が接触する部分は、基板9の裏面の全面積の50分の1以上20分の1以下であり、基板9と同等の材質の板状部材の着脱を150回以上繰り返すことによって予め平坦化されている。ガス供給系4によって基板ホルダー1の基板保持面と基板9との間の空間に熱伝達用のガスが供給されるものの、基板ホルダー1は基板9の裏面に接触する接触突起121とともに基板9の裏面に接触しない非接触突起122を有し、熱伝達用のガスを封じ込めることなくコンダクタンスを小さくしている。
Claim (excerpt):
真空中で基板を処理する真空処置装置であって、処理室内の所定位置に基板を保持するよう配設された基板ホルダーと、基板ホルダーの基板保持面に静電気を誘起させて基板を静電吸着させる静電吸着機構とを備えており、静電吸着の際に基板の裏面が接触する基板ホルダーの表面積は、基板の裏面の全面積の50分の1以上20分の1以下となっていることを特徴とする真空処理装置。
IPC (7):
H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (7):
H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 A ,  C23C 16/44 H ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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