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J-GLOBAL ID：200903064773017160

化合物半導体ウエハの製造方法

Inventor： 田村 聡之 ,  小川 雅弘 ,  石田 昌宏 ,  油利 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002011855
Publication number (International publication number)：2002316893
Application date： Jan. 21, 2002
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 クラック,欠けなどの少ないフリースタンディングの化合物半導体ウエハを得る。【解決手段】 サファイア基板1の表面上に、少なくともサファイア基板1の側面を覆う保護膜2を形成する。次に、サファイア基板1の露出している部分の上に、GaN膜3(窒素を含む化合物半導体膜)をエピタキシャル成長させる。次に、サファイア基板1とGaN膜3とを、レーザ光の照射,基板の研磨,エッチング,切断等を利用して互いに分離させる。これにより、GaN膜3をフリースタンディングのウエハとして用いる。

Claim (excerpt)：

基板の上面及び側面のうちの一部を覆う閉環状の保護膜を形成する工程(a)と、上記工程(a)の後に、上記基板の上面及び側面のうち上記保護膜によって覆われていない領域の上に、窒素を組成に含む化合物半導体膜をエピタキシャル成長させる工程(b)と、上記工程(b)の後に、上記基板を除去する工程(c)とを含み、上記工程(a)で形成される保護膜は、上記工程(b)で形成される化合物半導体膜のエピタキシャル成長を阻害する機能を有するものであることを特徴とする化合物半導体ウエハの製造方法。

IPC (3)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK11 ,  5F041AA03 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045DB02