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J-GLOBAL ID：200903064777868423

高純度金属Siの製造方法

Inventor： 長尾 元裕 ,  坂本 浩一 ,  草道 龍彦 ,  石田 斉
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998346044
Publication number (International publication number)：1999343111
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体用SiやMG-Siを用いなくとも、太陽電池用Siとして好適な5〜7Nといった高純度金属Siを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 SiO2 を主成分とする原料から金属Siを製造する方法であって、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiOガスを発生させる工程と、上記SiOガスを800°C以下で加熱してSiに還元する工程を含む。SiOガスをSiに還元するにあたっては、還元剤として一酸化炭素ガス(COガス)及び/又は水素ガスを用いることが望ましく、SiOガスを発生させる工程において発生したSiOガスは冷却し固化して回収することが望ましい。

Claim (excerpt)：

SiO2 を主成分とする原料から金属Siを製造する方法であって、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiOガスを発生させる工程と、上記SiOガスを800°C以下で加熱してSiに還元する工程を含むことを特徴とする高純度金属Siの製造方法。