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J-GLOBAL ID:200903064779075846
超電導磁石装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
明田 莞
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998207664
Publication number (International publication number):2000037366
Application date: Jul. 23, 1998
Publication date: Feb. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 被測定物の温度変化や測定用室温空間の温度変化による磁場補正用磁性体シムへの影響をなくし、高均一磁場を変動することなく安定性良く発生することができる超電導磁石装置を得る。【解決手段】 測定空間に配された被測定物Sに印加する主磁場を発生する円筒状の超電導磁石7と、超電導磁石7を囲繞して保冷するクライオスタット1と、超電導磁石7に対して測定空間側に配置され、前記主磁場の不均一を補正する磁場補正用の磁性体シム8’とを備えた超電導磁石装置において、前記磁性体シム8’はクライオスタット1の内部に配置されている。
Claim (excerpt):
測定空間に配された被測定物に印加する主磁場を発生する超電導磁石と、該超電導磁石を囲繞して保冷するクライオスタットと、前記超電導磁石に対して測定空間側に配置され、前記主磁場の不均一を補正する磁場補正用の磁性体シムとを備えた超電導磁石装置において、前記クライオスタットの内部に前記磁性体シムを配置したことを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (3):
A61B 5/055
, G01R 33/3873
, H01F 6/04 ZAA
FI (3):
A61B 5/05 332
, G01N 24/06 520 E
, H01F 7/22 ZAA G
F-Term (4):
4C096AB32
, 4C096CA02
, 4C096CA52
, 4C096CA70
Patent cited by the Patent:
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