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J-GLOBAL ID：200903064782489325

光電変換素子の製造方法

Inventor： 徳武 伸郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000115
Publication number (International publication number)：1997186122
Application date： Jan. 04, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 変換効率及び長期信頼性が高く、耐湿性を含めた耐久性に優れ、基板の曲がり等の変形に強く、均一性に優れ、および大面積化が可能な光電変換素子が、定常的に安定して安価に高収率で作製できる光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、導電性基板上に機能性膜を形成する光電変換素子の製造方法において、前記機能性膜を形成する前に、前記導電性基板の表面を、酸素を含む雰囲気中で紫外線照射する洗浄工程を設けたことを特徴とする。また、前記洗浄工程の後、前記導電性基板が不純物を含む雰囲気に曝されることなく、前記導電性基板上に前記機能性膜を形成することが好ましい。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に機能性膜を形成する光電変換素子の製造方法において、前記機能性膜を形成する前に、前記導電性基板の表面を、酸素を含む雰囲気中で紫外線照射する洗浄工程を設けたことを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 31/04 X