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J-GLOBAL ID:200903064786511899

気相成長方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木戸 一彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991179634
Publication number (International publication number):1993175134
Application date: Jul. 19, 1991
Publication date: Jul. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 従来と同等の品質の薄膜が得られ、かつ、従来より遥かに薄膜の成長速度を高めることができる気相成長方法及び装置を提供する。【構成】 液体原料をスプレーノズル4から霧状にして反応管1内の基板P上に供給し、該基板P上でガス化し、熱分解させて薄膜を形成する。
Claim (excerpt):
液体原料を霧状にして反応管内の基板上に供給し、該基板上でガス化し、熱分解することを特徴とする気相成長方法。
IPC (3):
H01L 21/205 ,  B05B 1/02 ,  C23C 16/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭50-147879
  • 特開昭61-244025
  • 特開平3-112894
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