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J-GLOBAL ID：200903064791881297
発光ダイオード素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121266
Publication number (International publication number)：1994334218
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 GaP系発光ダイオード素子の組立工程における加圧によるクラック防止で、高信頼性化と高輝度化を図る。【構成】 GaP基板上にN型エピタキシャル結晶層及びP型エピタキシャル結晶層を成長させ、PN接合を形成した発光ダイオード素子の天面をエッチングで粗化する際に、天面電極周辺に所定幅の非エッチング部を設ける。【効果】 発光ダイオード素子の組立(ダイスボンディング、ワイヤーボンディング)工程におけるクラック防止に大きな効果がある。
Claim (excerpt)：
GaP基板上に液相エピタキシャル結晶成長法を用いてN型エピタキシャル結晶層及びP型エピタキシャル結晶層を成長させPN接合を形成した発光ダイオード素子において、同発光ダイオード素子の天面電極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定幅の非粗化領域を配置したことを特徴とする発光ダイオード素子。
Patent cited by the Patent：
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