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J-GLOBAL ID：200903064798659646

光増幅装置

Inventor： ジャネット リ- ベントン ,  デ-ル コンラッド ジャコブソン ,  ライオネル ク-パ- キマ-リング ,  ユルゲン ミシェル ,  ジョン ミロ ポエト
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143644
Publication number (International publication number)：1993175592
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 希土類元素(RE)ドープSiからのフォト・ルミネセンスを更に増大することができる光デバイスを提供する。【構成】 エルビューム(Er)がドーピングされたシリコン(Si)基体に炭素(C)、窒素(N)または弗素(F)のような低質量元素を添加注入することによって実質的に増大したErルミネセンスが得られることが発見されており、本発明の装置は、少なくとも90%の原子百分率のSi或いはSiGe合金の外に、エルビューム(Er)、プラセオジューム(Pr)及びネオジューム(Nd)のうちの何れか一つまたは幾つかを含み、且つ、更にC、N及びFのうちの何れか一つまたは幾つかを含み、且つ好ましくは更に酸素を含む。

Claim (excerpt)：

エルビューム(Er)、プラセオジューム(Pr)及びネオジューム(Nd)から成るグループから選択された希土類元素(RE)を含有する材料を有し、波長λsの信号放射線に導波作用を行なう光導波路手段(32、33、34)を有し、更にこの光導波路手段(32、33、34)中の少なくとも幾つかの前記REにルミネセンスに関連している励起電子状態への電子的遷移を受けさせるための手段(35、36、37)を含むデバイス(30)を有する光増幅装置において、a)前記光導波路手段が、シリコン(Si)及びシリコン・ゲルマニューム(SiGe)合金から成るグループから選択された半導体材料を含有しているコア領域(33)を有するプレーナ形導波路手段であり、b)前記コア領域が、更に、炭素(C)、窒素(N)及び弗素(F)から成るグループの元素のうちの少なくとも一つの、コー・ドーパントと呼ばれる元素を含有し、前記光導波路手段に関連しているルミネセンスが、前記コー・ドーパントを含有していない点以外は前記光導波路手段と同等に構成されている比較用光導波路手段に関連しているルミネセンスより実質的に高いこと、を特徴とする光増幅装置。

IPC (6)：

H01S 3/16 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/35 501 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/18