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J-GLOBAL ID：200903064801920857

高融点金属薄膜の成膜方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994323187
Publication number (International publication number)：1996176823
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：

【要約】【構成】 予め、コンタクト・ホール3内のSi基板1上の自然酸化膜を除去しておき、該Si基板1を大気から遮断された状態に維持したまま、成膜初期には、H2 ガスに対するTiCl4 ガスの混合比を相対的に小とした状態でプラズマCVDを行って第1のTi膜5を成膜し、続いて、H2 ガスに対するTiCl4ガスの混合比を相対的に大として第2のTi膜7を成膜する。または、自然酸化膜除去後、Si基板の表面を窒化してからTi膜を成膜する。【効果】 基体にダメージを与えることなく、高融点金属薄膜を均一にカバレージよく成膜することができる。このため、高アクペクト比を有するコンタクト・ホールやビア・ホール内にバリヤメタルを形成するに際して本発明を適用すれば、優れたカバレージ、低抵抗のオーミック・コンタクト、低リーク電流を達成することができ、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく製造できる。

Claim (excerpt)：

高融点金属ハロゲン化物と水素とを含む混合ガスを用い、プラズマCVD法によって、基体上に高融点金属薄膜を成膜するに際し、前記成膜初期には、前記水素に対する前記高融点金属ハロゲン化物の混合比を相対的に小とし、その後は、該混合比を相対的に大とすることを特徴とする高融点金属薄膜の成膜方法。

IPC (6)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205