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J-GLOBAL ID：200903064805824160

半導体光素子とそれを用いた応用システム

Inventor： 近藤 正彦 ,  宮原 裕二 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996023662
Publication number (International publication number)：1997219563
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】1.7μmから5μmの中赤外光を発光する半導体レーザ及び受光する光検出器を作製し、これらの半導体光素子を用いた応用システムを提供することを目的とする。【解決手段】上記目的は、Nを含むIII-V族半導体を、半導体レーザの活性層やフォトダイオードの光吸収層に用いることにより達成される。【効果】GaInNAs、InNPAs等のNを含むIII-V族半導体は、0.73eV以下のバンドギャップを有する事ができ、更に、実質的に格子整合できる基板結晶が存在するので結晶欠陥の無い良質な結晶として結晶成長する事ができるので、中赤外半導体光素子に適した新半導体材料として提供できる。従って、1.7μmから5μmの中赤外光を発光する半導体レーザ、受光するフォトダイオードを作製でき、これらの高性能な半導体光素子を用いた応用システムを提供することができる。

Claim (excerpt)：

基板結晶上に光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体光素子において、上記基板結晶がGaAs及びInPの群の中から選ばれる一つであり、レーザ光の波長が1.7μmから5μmまでの範囲にあることを特徴とする室温連続動作可能な半導体光素子。

IPC (6)：

H01S 3/18 ,  G01N 21/01 ,  H01L 31/0248 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/00

FI (7)：

H01S 3/18 ,  G01N 21/01 D ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/00 F ,  H01L 31/08 K ,  H01L 31/10 A