蛍光体とその製造方法、薄膜の製造装置、およびEL素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000113671
Publication number (International publication number)：2001294852
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】高輝度で信頼性の高い薄膜ないし蛍光体を提供し、ヒーターなどの加熱手段によらない処理を薄膜ないし蛍光体に施すことにより、薄膜ないし蛍光体の形成された下地構造にダメージを与えずに薄膜ないし蛍光体の輝度および信頼性を向上させる蛍光体、その製造方法、薄膜製造装置、およびEL素子を提供する。【解決手段】真空槽11と、この真空槽11内に少なくとも、薄膜原料を蒸発させるための蒸発源14と、蒸発源14から蒸発した薄膜原料が堆積する基板12と、前記基板12上に形成される薄膜に電子ビームを照射するための電子ビーム源61とを有する構成の薄膜の製造装置により、薄膜ないし蛍光体をアニールし、高輝度、高性能の蛍光体、薄膜を得る。

Claim (excerpt)：

電子ビーム照射処理により結晶化され、発光輝度が向上されている蛍光体。

IPC (8)：

C09K 11/08 , C09K 11/00 , C09K 11/55 CPD , C09K 11/56 CPC , C09K 11/62 CQD , C09K 11/64 CQD , C09K 11/84 CQD , H05B 33/14

FI (8)：

C09K 11/08 A , C09K 11/00 F , C09K 11/55 CPD , C09K 11/56 CPC , C09K 11/62 CQD , C09K 11/64 CQD , C09K 11/84 CQD , H05B 33/14 Z

F-Term (27)：

3K007AB02 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007CB03 , 3K007DA02 , 3K007DB01 , 3K007DB02 , 3K007DC02 , 3K007DC04 , 3K007EC04 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 3K007FA03 , 4H001CA04 , 4H001CF01 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA16 , 4H001XA20 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA34 , 4H001XA38 , 4H001XA49 , 4H001XB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-081792
特開平3-133092
特開平4-259791

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