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J-GLOBAL ID：200903064832420550

ガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法及び装置

Inventor： トーマス ユング ,  ロルフ マイヤー
Applicant, Patent owner： フラウンホーファー-ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998512229
Publication number (International publication number)：2001500569
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：

【要約】本発明は、不活性ガス流内で中空陰極グロー放電をを用いたガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法に関し、該方法において、付加的な電荷担体を外部から放電領域内に導入する、並びにターゲットとして役立つ中空陰極(主中空陰極)(2)及び不活性ガス流のための流入装置(4)を有する、ガス流スパッタリングにより基板(7)を被覆する装置に関し、該装置において、少なくとも1つの付加的電荷担体源(3)が不活性ガス流の方向で主中空陰極(2)の前又は内部に設けられている。

Claim (excerpt)：

不活性ガス流内で中空陰極グロー放電を用いたガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法において、付加的な電荷担体を外部から放電領域内に導入するか又は中空陰極の内部で発生させることを特徴とする、ガス流スパッタリングにより基板を被覆する方法

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  H01J 37/34

FI (3)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 T ,  H01J 37/34