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J-GLOBAL ID：200903064839338043

光半導体集積回路

Inventor： 大古田 敏幸 ,  高橋 強
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996163230
Publication number (International publication number)：1998012852
Application date： Jun. 24, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 マルチメディアの進歩により、異なる波長の光を検出する必要が出てきた。しかし演算回路となるTrも組み込まれた図5のようなフォトダイオードを光の波長に応じて別々のICに実装し、光が別々のICに到達するように駆動系も別々に形成すれば良いが、これではコスト的に問題がある。【解決手段】 一方の光素子は、同一の分離領域25,26,27で囲まれたアイランド表面のアノード30を一要素として形成し、他方の光素子は、前記一方の光素子形成されたアイランドの下層の半導体基板20をアノードとして形成することで、1つのアイランドに2つの光素子を形成することができる。また、長い波長程半導体層深く入り、短い波長程半導体層には浅くしか侵入しない。そこで、一方の光素子の検出波長を、他方の光素子の検出波長よりも短くすれば、両光素子の出力をある程度まで取ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも1層の半導体層が積層され、少なくとも2つの光素子が組み込まれる光半導体集積回路において、前記2つの光素子の一方は、同一の分離領域で囲まれたアイランド表面を一要素として形成され、他方の光素子は、前記一方の光素子が検出する波長とは異なる波長を検出するもので、前記一方の光素子が形成されたアイランドの下層に一要素が形成されることを特徴とした光半導体集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (3)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/15 D ,  H01L 31/10 A