Pat
J-GLOBAL ID：200903064839537623
縦型電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992317025
Publication number (International publication number)：1994163909
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】縦型電界効果トランジスタのインダクタンス成分を含む負荷を駆動させる場合の逆起電力に対する破壊耐量を向上させる。【構成】ベース領域を、ゲートカットオフ電圧を決定する枠状に形成した第1ベース領域10と、第1ベース領域10の内周に接続して設けた高不純物濃度で第1ベース領域10より浅い第2ベース領域11とで構成することにより、第2ベース領域11の耐圧が第1ベース領域10よりも低くなり、インダクタンス成分を含む負荷を駆動させた場合に発生する逆起電力を第2ベース領域11にて吸収し、寄生トランジスタをオンさせ難くすることで破壊耐量を向上させる。
Claim (excerpt)：
一導電型半導体基板の一主面に設けた逆導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けた一導電型のソース領域と、前記ソース領域及びベース領域を含む表面に設けたゲート絶縁膜上に設けたゲート電極とを有する縦型電界効果トランジスタにおいて、前記ベース領域が枠状に深い拡散深さを有する第1ベース領域と、前記第1ベース領域の内周に接続して設け前記第1ベース領域よりも高い不純物濃度を有し且つ前記第1ベース領域よりも浅く形成した第2ベース領域で構成されることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
