Pat
J-GLOBAL ID：200903064842254667
常圧気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182792
Publication number (International publication number)：1993029232
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体ウェーハの表面の温度を測定してヒータの加熱温度を制御し、半導体ウェーハを一定温度に保つことにより、気相成長膜の品質を一定にする。【構成】搬送プレート2の上に搭載した半導体ウェーハ1の表面温度を測定する赤外線温度測定器7を少くとも反応炉6内の数個所に設け、得られた半導体ウェーハ1の温度により搬送プレート2の下に設けたプレーヒータ3及びメインヒータ4の加熱温度を制御する。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハを搭載して順次反応炉内に搬送する搬送プレートと、前記搬送プレートの下部に設けて前記半導体ウェーハを加熱するヒータと、少くとも前記反応炉内に設けて前記半導体ウェーハの温度を測定し前記ヒータの加熱温度を制御するための赤外線温度測定器とを備えたことを特徴とする常圧気相成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/66
, H01L 21/68
