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J-GLOBAL ID:200903064843329326

窒化ホウ素を用いた電子放出素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998074058
Publication number (International publication number):1999273551
Application date: Mar. 23, 1998
Publication date: Oct. 08, 1999
Summary:
【要約】【課題】 電界放出により電子を放出する電子放出素子であって、低電界下で効率の良い電子の放出を起こすことができ、しかも簡略な製法によって作製することが可能な電子放出素子を提供する。【解決手段】 窒化ホウ素ナノチューブ(ナノチューブ構造の窒化ホウ素)を電子源とする電子放出素子とする。この場合、電界印加素子又は電界印加部に形成された窒化ホウ素ナノチューブの内の最適先端形状のものから電界放出が起こる。この最適先端形状の窒化ホウ素ナノチューブは、尖った先端を持つ窒化ホウ素ナノチューブである。上記尖った先端を持つ窒化ホウ素ナノチューブは、その先端にホウ素(1又は2)-ホウ素結合及び/又は窒素(2又は1)-窒素結合を有する。
Claim (excerpt):
電界放出により電子を放出する電子放出素子であって、窒化ホウ素ナノチューブを電子源としたことを特徴とする電子放出素子。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3):
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 D ,  H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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