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J-GLOBAL ID：200903064872436174

プロセスモデル作成方法、マスクパターン設計方法、マスクおよび半導体装置の製造方法

Inventor： 小澤 謙 ,  新倉 千恵
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002319936
Publication number (International publication number)：2004157160
Application date： Nov. 01, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】マスク製造プロセスのばらつきに起因する誤差を排除できるプロセスモデル作成方法と、それを含むマスクパターン設計方法、マスクおよび半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】設計したテストパターンをテストマスクに形成し、テストマスク上のテストパターンの測長結果をもとに再作成されたテストパターンの設計データと、テストマスクの露光を含むプロセスにより転写されたパターンの測長結果とを合わせ込むプロセスモデル作成方法、それを用いてパターンを補正するマスクパターン設計方法、それを用いてマスクパターンが設計されたマスク、およびそのマスクをリソグラフィ工程に用いる半導体装置の製造方法。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

マスクパターンの設計データを入力データとして、前記マスクパターンが露光を含む所定のプロセスにより転写されるパターンを予測するシミュレーションのプロセスモデルを作成する方法であって、 前記マスクパターンの一部を選択および/または変更したテストパターンの設計データであるテストパターンデータを作成する工程と、 前記テストパターンが形成されたテストマスクを作製する工程と、 前記テストマスクに形成された前記テストパターンを測長する工程と、 前記テストマスクでの前記テストパターンの測長結果に合致するように、前記テストパターンデータを再作成する工程と、 前記所定のプロセスにより前記テストマスク上の前記テストパターンを転写して、サンプルを作製する工程と、 前記サンプルに転写された前記テストパターンを測長する工程と、 再作成された前記テストパターンデータを入力データとして前記シミュレーションを行い、前記所定のプロセスにより転写されるテストパターンを予測する工程と、 前記サンプルでの前記テストパターンの測長結果と、再作成された前記テストパターンデータを入力データとして、転写されるテストパターンを予測する前記シミュレーションの結果とが所定の誤差範囲内となるようにフィッティングを行ってプロセスモデルを作成する工程とを有する プロセスモデル作成方法。

IPC (4)：

G03F1/08 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (7)：

G03F1/08 A ,  G03F1/16 B ,  G03F1/16 E ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502Z ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 541S

F-Term (16)：

2H095BA01 ,  2H095BA08 ,  2H095BB28 ,  2H095BC09 ,  2H095BD07 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046CB17 ,  5F046DA30 ,  5F046DD03 ,  5F056AA22 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD09 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07