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J-GLOBAL ID：200903064876227871

コンタクト形成方法

Inventor： 窪田 通孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301769
Publication number (International publication number)：1994140516
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】配線層のコンタクトカバレージを向上させるコンタクト形成方法を提供する。【構成】導電層1上方に形成したオフセット絶縁層4のコンタクトホール6を介して、上記導電層に自己整合的にコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、上記オフセット絶縁層4のコンタクトホール6の開口面積を上側で大にする。

Claim (excerpt)：

導電層上方に形成したオフセット絶縁層のコンタクトホールを介して前記導電層に自己整合的にコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、前記オフセット絶縁層のコンタクトホールの開口面積を上側で大にすることを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316