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J-GLOBAL ID：200903064886045402
薄膜形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森下 武一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994318083
Publication number (International publication number)：1996176805
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 レーザアブレーション法による薄膜形成方法において、レーザ光のパワーを変化させることなく基板上での成膜速度をコントロールし、かつ、ドロップレットの発生を防止すること。【構成】 レーザ光Lは窓部11から成膜室10へ導入され、ターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料は基板16上に堆積/結晶化して薄膜を形成する。ターゲット15と基板16との間にはメッシュ状又は格子状の通過面積コントロール板17が設置されている。成膜材料はコントロール板17の隙間を通過して基板16上に到達する。
Claim (excerpt)：
レーザアブレーション法によって基板上に成膜材料を堆積/結晶化して薄膜を形成する方法において、ターゲットから放出された成膜材料を、多数の隙間を有する通過面積コントロール部材を介して基板上に到達させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/28
, B01J 19/08
, C30B 23/08
