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J-GLOBAL ID：200903064886573794

半導体ウエハ熱処理装置

Inventor： 原田 宙幸 ,  佐々木 隆 ,  人見 周二
Applicant, Patent owner： 三菱商事株式会社 ,  神鋼パンテツク株式会社 ,  日本電池株式会社
Agent (1)： 豊田 武久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209909
Publication number (International publication number)：1995045602
Application date： Aug. 02, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 水素を使用して半導体ウエハを熱処理する装置として、クリーンルーム外部の水素ボンベや水素カードルから長い配管をもって水素を導くことを不要とし、これによって水素漏洩の危険を少なくし、併せて電源遮断時に直ちに水素発生を停止させ得るようにする。【構成】 熱処理装置自体として、水を電気分解して水素ガスと酸素ガスを発生させる水電解装置を有しており、その水電解装置により得られた水素ガスを使用して半導体ウエハを熱処理するように構成した。

Claim (excerpt)：

半導体装置製造工程中において水素ガスを直接もしくは間接的に用いて半導体ウエハを熱処理するための装置において、水を電気分解して水素ガスおよび酸素ガスを発生させる水電解装置を有し、その水電解装置により得られた水素ガスもしくは水素ガスおよび酸素ガスを用いて前記半導体ウエハを熱処理するように構成したことを特徴とする半導体ウエハ熱処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭54-075276
  
• 特開平4-371226
  
• 薄膜半導体装置の製造方法及び減圧化学気相堆積装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-259338   Applicant：セイコーエプソン株式会社