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J-GLOBAL ID：200903064886733198

オーミック電極の製造方法

Inventor： 白石 靖
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168550
Publication number (International publication number)：1993190488
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】P型GaAsに、耐熱性および長期信頼性に優れ、かつ低抵抗のオーミック電極を形成する。【構成】半絶縁性GaAs基板1に形成されたP型GaAs動作層2上にIn層3、P型不純物となるZn層4、拡散防止層となるW層5を順に堆積する。高温の熱処理を行ない、Znが高濃度に含まれたInGaAs層またはInGaAsグレイン6を形成する。【効果】禁制帯幅が狭く、金属とのポテンシャル障壁の低いInGaAs層により、低抵抗のオーミックコンタクトが得られる。低融点合金層が形成されることなく、拡散防止層が形成されている。InGaAs層からのInの拡散は小さいので、耐熱性および長期信頼性に優れたオーミック電極が実現された。

Claim (excerpt)：

P型砒化ガリウム層上に、亜鉛、ベリリウム、クロム、マグネシウムのうち少なくとも1元素とインジウムとを含む第1層を形成する工程と、前記第1層上に高融点金属層、高融点金属珪化物層、高融点金属窒化物層のうち1つからなる第2層を形成する工程と、高温で熱処理する工程とを含むオーミック電極の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01S 3/18