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J-GLOBAL ID：200903064892602151

ダイヤモンド膜およびその製造方法

Inventor： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  黒川 英雄 ,  白鳥 哲也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997143980
Publication number (International publication number)：1998081589
Application date： Jun. 02, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンド膜形成時の核発生を簡便な手法で再現性よくかつ効率的に行なうことにより、緻密で表面平坦性の高い良質なダイヤモンド膜を提供する。【解決手段】 酸性溶液中に分散させた平均粒径が0.1μm以下のダイヤモンド粒子を、超音波振動、電圧印加などの手段により、シリコンまたは立方晶シリコンカーバイドからなる表面に1平方センチメートル当たり1×1010個以上の分布密度を有するように配置し、このダイヤモンド粒子を成長核としてプラズマCVD法によりダイヤモンド膜を形成した。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたダイヤモンド膜であって、1平方センチメートル当たり1×1010個以上の密度の成長核から形成されたことを特徴とするダイヤモンド膜。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C25D 13/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314

FI (6)：

C30B 29/04 Q ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C25D 13/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平2-097486
  
• 薄膜ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-263459   Applicant：シャープ株式会社
• ダイヤモンド薄膜とダイヤモンド薄膜合成用基板の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-181525   Applicant：旭硝子株式会社, 東京瓦斯株式会社, 日本電気株式会社
• 特開平4-114995
  
• 特開平4-092893
  
• ダイヤモンド基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-283938   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンドの析出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-250399   Applicant：株式会社豊田中央研究所