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J-GLOBAL ID：200903064897412768

マーク、アライメントマーク、合わせずれ測定用マーク、フォトマスク、及び、半導体ウェーハ

Inventor： 横家 昇
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999271331
Publication number (International publication number)：2001093820
Application date： Sep. 24, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の製造工程等が変動して光の干渉条件が変化しても、光学系のマーク検知器で認識可能なマークを提供する。【解決手段】 マーク3を、マーク検知器の分解能以下の間隔W1である平行な1対の辺を有する複数の第1のパターン1と、マーク検知器の分解能以下で間隔W1とは異なる間隔W2である平行な1対の辺を有し、この1対の辺の1辺が第1のパターン1の1対の辺の1辺とマーク検知器の分解能以下の間隔Wsに接近させて配置される複数の第2のパターン2とで構成する。このことにより、第1のパターン1と第2のパターン2の少なくとも一方がマーク検知器で認識可能な光の干渉条件を満たす。

Claim (excerpt)：

マーク検知器の分解能以下の幅の平行な一対の辺を有する四角形であり、前記辺が対向するように複数個並べられている第1のパターンと、前記分解能以下で前記幅とは異なる幅の平行な一対の辺を有する四角形であり、該一対の辺の1辺が前記第1のパターンの前記一対の辺の1辺と前記分解能以下の間隔をおいて配置され、前記第1のパターンと隣り合うように交互に並んで配置されている複数の第2のパターンとで構成されることを特徴とするマーク。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/68

FI (5)：

G03F 1/08 N ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/68 F ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 522 B

F-Term (14)：

2H095BD06 ,  2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  5F031CA02 ,  5F031CA07 ,  5F031JA38 ,  5F031JA50 ,  5F046AA26 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EA10 ,  5F046EA12 ,  5F046FC10