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J-GLOBAL ID：200903064897471578
薄膜の作成法および作成装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
坂本 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302165
Publication number (International publication number)：1997118973
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高温環境下で使用されても基板の表面から剥離して絶縁破壊を生じることがない高温絶縁性の優れたセラミックス化合物からなる薄膜を作成する。【解決手段】 スイッチ11を接地側に切り替えるとともにシャッタ10を開けることにより真空槽4内に収容された金属製基板5の表面に薄膜作成法によりセラミックス化合物からなる薄膜を形成した後に、スイッチ11をプラズマ電源12側に切り替えるとともにシャッタ10を閉じることにより薄膜の表面にドライエッチングを行ってからスイッチ11を接地側に切り替えるとともにシャッタ10を開けることにより薄膜作成法により薄膜と異種のセラミックス化合物からなる薄膜を形成する処理を、2回行うことにより、基板2の表面に3層の薄膜を積層する。
Claim (excerpt)：
金属製の基板の表面に薄膜作成法により真空状態でセラミックス化合物からなる薄膜を形成した後に、前記真空状態を維持したまま前記薄膜の表面に、ドライエッチングを行ってから前記薄膜作成法により前記薄膜と同種または異種のセラミックス化合物からなる薄膜を形成する処理を1回または2回以上行うことにより、前記基板の表面に2層以上の薄膜を積層することを特徴とする薄膜の作成法。
IPC (3)：
C23C 14/08
, C23C 14/22
, C23F 4/00
C23C 14/08 N
, C23C 14/22 Z
, C23F 4/00 A
