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J-GLOBAL ID：200903064900144745

貴金属系触媒担持炭素化物の製造方法及び貴金属系触媒担持炭素化物

Inventor： 出来 成人 ,  水畑 穣
Applicant, Patent owner： 国立大学法人神戸大学
Agent (3)： 梶 良之 ,  須原 誠 ,  奈良 泰宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004261784
Publication number (International publication number)：2006075709
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】金属炭化物などの副生成物を形成させることなく、炭素ネットワークの微細構造の制御を行うことができる貴金属系触媒担持炭素化物の製造方法と、この製造方法により作製された貴金属系触媒担持炭素化物を提供する。【解決手段】ニトリル基、アミノ基、ピリジン環、又はアミド結合を有する高分子、若しくはポリイミド系高分子を180〜300°Cで加熱処理し、この高分子を貴金属錯体の水溶液中に浸漬して、その表面に貴金属イオンを吸着させ、貴金属系触媒を析出させ、表面に貴金属系触媒が析出された高分子を洗浄・乾燥し、この高分子を、不活性ガス雰囲気下、400〜800°Cで加熱処理して、貴金属系触媒を高分子内部に分散させ、高分子を炭素化させる製造方法である。本方法により、燃料電池用触媒等として用いられる貴金属系触媒担持炭素化物を提供する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ニトリル基を有する高分子、アミノ基を有する高分子、ピリジン環を含む高分子、アミド結合を有する高分子又はポリイミド系高分子を180〜300°Cで加熱処理する工程と、 加熱処理した前記高分子を貴金属錯体の水溶液中に浸漬して、その表面に貴金属イオンを吸着させ、貴金属系触媒を析出させる工程と、 表面に貴金属系触媒が析出された前記高分子を洗浄・乾燥する工程と、 洗浄・乾燥された前記高分子を、不活性ガス雰囲気下、400〜800°Cで加熱処理して、貴金属系触媒を前記高分子内部に分散させるとともに前記高分子を炭素化させる工程とを含む貴金属系触媒担持炭素化物の製造方法。

IPC (5)：

B01J 23/42 ,  B01J 32/00 ,  B01J 37/02 ,  B01J 37/08 ,  H01M 4/88

FI (6)：

B01J23/42 M ,  B01J32/00 ,  B01J37/02 101A ,  B01J37/02 301P ,  B01J37/08 ,  H01M4/88 K

F-Term (105)：

4G069AA01 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA08A ,  4G069BA08B ,  4G069BA14B ,  4G069BA17 ,  4G069BA22C ,  4G069BA26C ,  4G069BB02A ,  4G069BB08C ,  4G069BC32A ,  4G069BC33A ,  4G069BC33B ,  4G069BC58A ,  4G069BC62A ,  4G069BC64A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC69A ,  4G069BC70A ,  4G069BC71A ,  4G069BC72A ,  4G069BC74A ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069BD05B ,  4G069BD12C ,  4G069BE14C ,  4G069BE18C ,  4G069BE20C ,  4G069BE44C ,  4G069BE45C ,  4G069CC32 ,  4G069DA06 ,  4G069EA08 ,  4G069FA01 ,  4G069FA02 ,  4G069FB02 ,  4G069FB14 ,  4G069FB27 ,  4G069FB29 ,  4G069FB34 ,  4G069FB36 ,  4G069FB43 ,  4G069FB57 ,  4G069FC02 ,  4G069FC07 ,  4G169AA01 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BA14B ,  4G169BA17 ,  4G169BA22C ,  4G169BA26C ,  4G169BB02A ,  4G169BB08C ,  4G169BC32A ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC58A ,  4G169BC62A ,  4G169BC64A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC69A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD05B ,  4G169BD12C ,  4G169BE14C ,  4G169BE18C ,  4G169BE20C ,  4G169BE44C ,  4G169BE45C ,  4G169CC32 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB02 ,  4G169FB14 ,  4G169FB27 ,  4G169FB29 ,  4G169FB34 ,  4G169FB36 ,  4G169FB43 ,  4G169FB57 ,  4G169FC02 ,  4G169FC07 ,  5H018AA02 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB05 ,  5H018BB07 ,  5H018EE03 ,  5H018HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ナノ金属微粒子含有炭素薄膜電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-314980   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社