Pat

J-GLOBAL ID：200903064916949760

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996047660
Publication number (International publication number)：1996316571
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【課題】 青から紫外域にわたる発光波長を有する半導体レーザに関し、基板の垂直劈開を利用してレーザ共振器を作製できる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 立方晶系の単結晶基板10と、単結晶基板10上にエピタキシャル成長されており、その劈開面30によりレーザ共振器が構成されているエピタキシャル結晶層12とを有し、単結晶基板10の劈開面28とエピタキシャル結晶層12の劈開面30とが平行ではなく、エピタキシャル結晶層12の劈開面30と単結晶基板の表面との交線が、単結晶基板10の劈開面28と単結晶基板10の表面との交線Lにほぼ一致するように構成する。

Claim (excerpt)：

立方晶系の単結晶基板と、前記単結晶基板上にエピタキシャル成長されており、その劈開面によりレーザ共振器が構成されているエピタキシャル結晶層とを有し、前記単結晶基板の劈開面と前記エピタキシャル結晶層の劈開面とが平行ではなく、前記エピタキシャル結晶層の劈開面と前記単結晶基板の表面との交線が、前記単結晶基板の劈開面と前記単結晶基板の表面との交線にほぼ一致していることを特徴とする半導体レーザ。