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J-GLOBAL ID：200903064918358343

イオン導電性ゲル電解質形成用シ-ト及びイオン導電性ゲル電解質シ-トの製造方法

Inventor： 宝迫 芳彦 ,  山田 輝之 ,  浜田 光夫 ,  林 省治
Applicant, Patent owner： 三菱レイヨン株式会社 ,  ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264271
Publication number (International publication number)：1999102612
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 イオン導電率が高く、かつ強度的にも優れ、且つその製法において環境負荷の小さいイオン導電性ゲル電解質シ-トの提供。【解決手段】 実質的に非水電解液に溶解しない高分子重合体よりなる繊維状物又はパルプ状物よりなる支持相Aと、実質的に非水電解液により溶解ないし可塑化したイオン導電性ゲル状高分子重合体からなるマトリックス相Bを形成しうる繊維状物又はパルプ状物とを複合一体化しており、かつ、支持相Aが多孔質な連続相を形成したゲル電解質形成用シ-ト。

Claim (excerpt)：

実質的に非水電解液に溶解しない高分子重合体よりなる繊維状物又はパルプ状物よりなる支持相Aと、実質的に非水電解液により溶解又は可塑化しうる高分子重合体の繊維状物又はパルプ状物からなるマトリックス形成相Bとが一体化され、かつ、支持相Aが連続相を形成したものである事を特徴とするイオン導電性ゲル電解質形成用シ-ト。

IPC (8)：

H01B 1/12 ,  B32B 5/26 ,  D21H 13/14 ,  H01G 9/025 ,  H01M 6/18 ,  H01M 6/22 ,  H01M 10/40 ,  C08L 33/20

FI (9)：

H01B 1/12 Z ,  B32B 5/26 ,  H01M 6/18 E ,  H01M 6/22 C ,  H01M 10/40 B ,  C08L 33/20 ,  H01G 9/00 301 G ,  D21H 5/20 A ,  B32B 27/30 Z