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J-GLOBAL ID：200903064924337382

パターン形成方法およびレジスト塗布装置

Inventor： 田中 稔彦 ,  内野 正市 ,  村井 二三夫 ,  長谷川 昇雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995056987
Publication number (International publication number)：1996255736
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【構成】ウェハを回転させる機構と,有機膜を滴下する機構と,紫外光あるいは遠紫外光を照射する機構と,レジストを滴下する機構からなり、被加工基板上に有機膜を形成し、有機膜上に紫外光あるいは遠紫外光を照射し、この処理を施した有機膜上にレジストを塗布し、所望のパターンをレジストに露光し、現像・リンスしレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに被加工基板と一緒に有機膜をエッチングする。【効果】密集した微細レジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンのパターンはがれを防止でき、パターン形成不良を低減できる。

Claim (excerpt)：

被加工基板上にレジストを塗布後、所望のパターンを露光し、次に現像及びリンスを行い、その後、リンス液を乾燥させて所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、前記レジストを塗布する前に有機膜を被加工基板上に形成し、形成後紫外線あるいは遠紫外線を前記有機膜上に照射しておくことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/205

FI (10)：

H01L 21/30 563 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/30 515 E ,  H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 569 A ,  H01L 21/30 572 Z ,  H01L 21/30 575