Pat

J-GLOBAL ID：200903064925269135

露光方法及び薄膜多層基板

Inventor： 吉本 光雄 ,  志儀 英孝 ,  山田 収 ,  石野 正和 ,  井上 隆史 ,  安部 慎二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992173059
Publication number (International publication number)：1994020909
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パターン寸法の面内ばらつきがある下地基板上に微細な薄膜パターンを整合させて形成する。【構成】 本発明は、厚膜パターンを有するセラミックス等の下地基板、整合層、接続層、絶縁層及び信号層等の配線層等からなる薄膜多層基板等の製造工程におけるレジスト等の感光性樹脂膜への露光方法であって、下地基板毎に基準点からのパターン座標寸法を測定し記憶させる工程と、測定値から計算により最適な露光座標等を求める工程と、必要に応じて露光範囲を分割して、その分割単位毎にマスク合わせを行い、ステップ露光を行う工程とにより行われる。これにより、面内ばらつきのある下層パターンと整合をとりながら徐々に面内ばらつき小さくすることができ、高密度配線が可能な基板を得ることができる。

Claim (excerpt)：

厚膜パターンを有するセラミックス等の下地基板、厚膜パターンと薄膜パターンとの整合をとるための整合層、各層間を接続するための接続層、各導体間の絶縁をとるための絶縁層及び信号層等の配線層からなる薄膜多層基板の製造工程における感光性樹脂膜に対する露光方法において、下地基板毎に基準点からのパターン座標寸法を測定して記憶させる工程と、この測定値から計算により最適な露光座標等を求める工程と、必要に応じて露光範囲を分割して、その分割単位毎にマスク合わせを行い、ステップ露光を行う工程とを含むことを特徴とする露光方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/20 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46