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J-GLOBAL ID：200903064929955084

光発生装置及びその製造方法

Inventor： 北岡 康夫 ,  山本 和久 ,  加藤 誠 ,  宇野 智昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305363
Publication number (International publication number)：1997197457
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 簡単な光学調整で半導体レーザ光を光導波路型光機能デバイス上の光導波路に結合することができ、且つ半導体レーザチップが発熱しても安定な動作特性を維持できる、超小型光発生装置を実現する。【解決手段】 L字型のサブマウント16の第1の部分16Aの材料はAlNセラミックスであり、第2の部分16Bの材料はZrO2セラミックスである。サブマウント16の上の第1の面(16A’)の基準線C(第2の面16B’に含まれる)より1μm離れた位置に半導体レーザチップ1の活性層2の発光領域が一致するように、半導体レーザチップ1をサブマウント16の上に固定する。さらに、光導波路型SHGデバイス9を、サブマウント16の第2の面16B’の上で矢印方向に一軸位置合わせ調整して、半導体レーザチップ1の光を光導波路10に結合させる。

Claim (excerpt)：

サブマウントと、該サブマウント上に固定された半導体レーザチップと、該サブマウント上に固定された、光導波路が形成されている基板と、該半導体レーザチップと該基板の間に挿入されている、所定の径を有する物体と、を備える、光発生装置。

IPC (6)：

G02F 1/37 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/30 ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/18

FI (6)：

G02F 1/37 ,  G02B 6/30 ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M