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J-GLOBAL ID：200903064947313251

窒化ケイ素薄膜の形成方法

Inventor： 杉本 岩雄 ,  中野 聡子
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294229
Publication number (International publication number)：1994151421
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 反応性スパッタ法により内部応力が低く、耐薬品性に優れた高品質の窒化ケイ素薄膜の形成方法を提供する。【構成】 窒素ガスプラズマ中でシリコンをスパッタリングし、反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を形成する方法において、上記窒素ガスプラズマ中に、ヘリウムまたはネオンもしくはその混合ガスを導入してプラズマ励起状態を高めることにより反応性を増大させて窒化ケイ素薄膜を堆積する方法。【効果】 低温で内部応力が低く、耐薬品性に優れた高品質の窒化ケイ素薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

窒素ガスプラズマ中でシリコンをスパッタリングし、反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を形成する方法において、上記窒素ガスプラズマ中にヘリウムまたはネオンもしくはその混合ガスを導入してプラズマ励起状態を高め反応性を増大させて窒化ケイ素薄膜を堆積することを特徴とする窒化ケイ素薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203