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J-GLOBAL ID：200903064951232401

薄片状炭素結晶の製造方法

Inventor： 吉井 哲朗
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 伊藤 俊哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081441
Publication number (International publication number)：2004262738
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：

【課題】本発明は真空蒸着装置のような装置を必要とせずに低コストで薄片状のフラーレン結晶を得る。【解決手段】ベンゼン環のオルト位置または1,2,4の位置に置換基を有するベンゼン化合物を含有する第1の溶媒にフラーレンを溶解してなる溶液、フラーレンに対して貧溶媒である第2の溶媒および固体の壁を、前記溶液と前記第2溶媒とが液-液界面を形成するようにそして前記固体壁と前記溶液とが固-液界面を形成するように接触させ、ついで前記溶液、前記第2溶媒および前記固体壁をその状態で所定時間維持し、それにより前記溶液に接触する前記壁の表面から壁面を横切る面に沿って成長するようにフラーレンを析出させる薄片状炭素結晶の製造方法である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

ベンゼン環のオルト位置または1,2,4の位置に置換基を有するベンゼン化合物を含有する第1の溶媒にフラーレンを溶解してなる溶液、フラーレンに対して貧溶媒である第2の溶媒および固体の壁を、前記溶液と前記第2溶媒とが液-液界面を形成するようにそして前記固体壁と前記溶液とが固-液界面を形成するように接触させ、ついで前記溶液、前記第2溶媒および前記固体壁をその状態で所定時間維持し、それにより前記溶液に接触する前記壁の表面から壁面を横切る面に沿って成長するようにフラーレンを析出させる薄片状炭素結晶の製造方法。

IPC (1)：

C01B31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (11)：

4G146AA08 ,  4G146AA09 ,  4G146AB10 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC02B ,  4G146AD01 ,  4G146BA04 ,  4G146CB03 ,  4G146CB11 ,  4G146CB16