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J-GLOBAL ID:200903064957155700

薄膜の表面平坦化方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井内 龍二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993238030
Publication number (International publication number):1995094453
Application date: Sep. 24, 1993
Publication date: Apr. 07, 1995
Summary:
【要約】【構成】 平坦化されるべき凸凹を有するSiO2 膜13上に材料の異なるSiN膜14を形成し、SiO2 膜13の凸部13a、13b及びSiN膜14の凸部14a、14bを連続的に研磨により除去して表面15を平坦化する薄膜の平坦化方法。【効果】 SiO2 膜13の凸部13a、13bとこれらの上にあるSiN膜14a、14bとを、狭い凸部13bから広い凸部13aへ、また狭いSiN膜14bから広いSiN膜14aへの順に研磨することができるとともに、SiN膜14cの保護作用によりSiO2 膜13の凹部13cの研磨を抑制することができる。そのため、Alパターン12形状の影響を少なくすることができ、研磨後におけるSiO2 膜表面15の平坦化度を高めることができ、Alパターン12の微細化・多層化を図ることができ、また平坦化のための工程数を減らすことができる。
Claim (excerpt):
表面に凸凹を有する薄膜の表面平坦化方法において、平坦化されるべき凸凹を有する第1の薄膜上に材料の異なる第2の薄膜を形成し、前記第1及び第2の薄膜の凸部を連続的に研磨により除去して表面を平坦化することを特徴とする薄膜の表面平坦化方法。

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