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J-GLOBAL ID：200903064976481066

テラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法並びに基体

Inventor： 福田 承生 ,  猿倉 信彦 ,  吉川 彰
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004342677
Publication number (International publication number)：2006156575
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】従来よりも、より高強度のテラヘルツ電磁波を発生させることが可能なテラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法を提供すること。レーザー光源として、例えば、チタンサファイアレーザーなどの容易に入手可能なレーザー光源を用いることができるテラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛からなる基板(基体)(1)と、基板(1)上に対向して設けられた電極(2)、(3)と、電極(2)、(3)間にバイアス電圧を印加するための手段(4)と、電極(2)、(3)間に光(5)を入射するための手段と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛からなる基体と、該基体上に対向して設けられた電極と、該電極間にバイアス電圧を印加するための手段と、該電極間に光を入射するための手段と、を有することを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。

IPC (1)：

H01S 1/02

FI (1)：

H01S1/02