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J-GLOBAL ID：200903064982767494

光メモリ素子

Inventor： 前之園 信也 ,  山口 由岐夫
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998261940
Publication number (International publication number)：2000090489
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 励起光を照射するとフォトルミネッセンス強度(以下「発光強度」と称する)が増加する現象と、光照射せずに暗所にて長時間保存した後再び光照射すると保存前の発光強度を示す、つまり記憶しているという発光性微粒子の集合体の機能を利用した光メモリ素子であって、発光強度の増加率並びに記憶及び保持時間が飛躍的に増大した光メモリ素子を提供する。【解決手段】 発光強度を励起光の照射時間もしくは照射量の関数として増加あるいは増加及び記憶させることができる機能を有する発光性微粒子の集合体を有する光メモリ素子であって、発光性微粒子の集合体の少なくとも一部が絶縁性材料からなる保護層を有する光メモリ素子。

Claim (excerpt)：

フォトルミネッセンス強度(以下「発光強度」と称する)を励起光の照射時間もしくは照射量の関数として増加あるいは増加及び記憶させることができる機能を有する発光性微粒子の集合体を有する光メモリ素子であって、発光性微粒子の集合体の少なくとも一部が絶縁性材料からなる保護層を有することを特徴とする光メモリ素子。

IPC (2)：

G11B 7/24 522 ,  G03C 1/72

FI (2)：

G11B 7/24 522 Z ,  G03C 1/72

F-Term (11)：

2H123AA00 ,  2H123AA30 ,  2H123AA50 ,  2H123BA00 ,  2H123BA01 ,  2H123BA41 ,  2H123BA49 ,  2H123BB06 ,  2H123CA22 ,  2H123EA08 ,  5D029JB17