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J-GLOBAL ID：200903064983680708

中性子散乱施設

Inventor： 中村 知博 ,  岡部 綾夫 ,  小川 雪郎 ,  田川 久人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000076314
Publication number (International publication number)：2001264500
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】次世代の大出力中性子散乱施設において、液体水素減速材の漏洩時にもボイドベッセルの健全性を保持すること。【解決手段】ターゲット容器2と減速材容器3,反射体9,ボイドベッセル4および遮蔽体8から構成される中性子散乱施設において、ボイドベッセル4にラプチャディスク6を介してベントライン7を接続し、ベントライン7と排気塔20の間に設置したガス処理系を構成するガス貯留容器22において、希釈ガス供給系23より希釈ガスを供給し、非常用フィルタ33で放射性物質を除去した後、排気塔20から排気する。

Claim (excerpt)：

高エネルギーの陽子ビームを重金属ターゲットに照射して、重金属ターゲットの核破砕反応で発生する高密度の中性子を、減速材で減速させて使用する中性子散乱施設において、重金属ターゲットの少なくとも一部と減速材ループの少なくとも一部を内蔵し気密構造を有するボイドベッセルと、ボイドベッセル内の雰囲気ガスをボイドベッセル外部へ導くベントラインと、ベントラインを通してボイドベッセル外部へ導いた雰囲気ガスを処理するガス処理系を備えていることを特徴とする中性子散乱施設。

IPC (3)：

G21K 5/02 ,  G21F 9/02 501 ,  G21K 5/00

FI (3)：

G21K 5/02 N ,  G21F 9/02 501 Z ,  G21K 5/00 S