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J-GLOBAL ID：200903064988182200

半導体光集積素子

Inventor： 青木 雅博 ,  佐野 博久 ,  鈴木 誠 ,  谷渡 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085316
Publication number (International publication number)：1993291695
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体光集積素子に関し、特に異種機能、異種性能を有する光素子間の高効率な光結合を極めて容易に実現する構造を提供することである。【構成】 連続し且つ成長層厚または組成が各素子領域で異なる複数のバルク半導体層または量子井戸構造を形成し、それらの間に残留するバンドギャップエネルギーの遷移領域に電流注入することにより集積素子間の完全光結合を有する半導体光集積素子を得る。【効果】 素子間の100%以上の実効光結合効率を実現できる。更なる効果は、量子井戸構造を集積化する複数素子に適用できるため高性能量子井戸構造光素子を同一基板上に集積化することができる。本素子を用いれば、光通信システムの長距離化を容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる第1の光導波層を有する第1の光機能部と、化合物半導体からなる第2の光導波層を有する第2の光機能部と、これらの光導波層を光学的に結合するための結合光導波路3とを有し、この結合光導波路3の層厚若しくは元素組成が単調に変化して上記第1及び第2の光導波層にそれぞれ接続する半導体光集積素子において、結合光導波路3に電流注入を行うための電極を有する半導体光集積素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/025 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-100291
  
• 特開平1-319986
  
• 特開平1-199483