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J-GLOBAL ID：200903064992148989

磁気抵抗効果型再生ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor： 上坂 保太郎 ,  鈴木 香 ,  藤本 和久 ,  斎藤 郁夫 ,  土屋 鈴二朗 ,  吉田 和悦 ,  城石 芳博
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018373
Publication number (International publication number)：1995225926
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 横方向バイアス磁界及び縦バイアス磁界印加手段を有する磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズを抑え、高い再生出力を得ること。【構成】 基板70上にバイアス磁界印加用の軟磁性膜(SAL膜)30と、非磁性導電膜又は絶縁膜40と、磁気抵抗効果膜20とを積層して設け、磁気抵抗効果膜20の上に反強磁性膜80を介して一対の電極膜10を設けた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜の上に設けられた電極膜の比抵抗と膜厚の比を5Ω以上とする。【効果】 反強磁性膜によって縦バイアス磁界を印加する磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、バルクハウゼンノイズの発生を充分に抑えることが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に積層して設けられたバイアス磁界印加用の軟磁性膜、非磁性導電膜、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜上に離間して設けられた一対の反強磁性膜を含む多層膜と、前記多層膜の上に設けられた一対の電極とを備え、前記一対の反強磁性膜は前記一対の電極の下方領域に設けられている磁気抵抗効果型再生ヘッドであって、前記多層膜の上に設けられた一対の電極は比抵抗と膜厚の比が5Ω以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02