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J-GLOBAL ID：200903064993074580

垂直微小共振器型発光ダイオード

Inventor： 小椋 茂樹 ,  藤原 博之 ,  登 正治 ,  小泉 真澄
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343967
Publication number (International publication number)：2000174327
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 外部量子効率の高い垂直微小共振器型発光ダイオードを提供する。【解決手段】 1対の多層反射層3,7によって共振器長が発光波長が1/2波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層5設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層5が存在するようになし、共振器QED効果によって自然放出が増強される構造とする。さらに量子井戸層5として、傾斜形状バンドギャップを有する傾斜型量子井戸層を用いる。この構成により、電子と正孔が量子井戸層内の同じ場所で局在化するようになり、電子と正孔の再結合による発光がより顕著に起きることにより、共振器QED効果による自然放出増強がより顕著になる。

Claim (excerpt)：

少なくとも1層の量子井戸層を含むを発光層と、当該発光層を挟んで両側に設けられた多層反射層とを有する垂直微小共振器型発光ダイオードにおいて、前記量子井戸層が、電子の注入側から正孔の注入側に向かって若しくは正孔の注入側から電子の注入側に向かって、小さくなる傾斜形状のバンドギャップを有するものである、ことを特徴とする垂直微小共振器型発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/183

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 652

F-Term (20)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041FF13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05