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J-GLOBAL ID：200903064999317476

フオトレジスト

Inventor： レカイ ゼチ ,  ライナー ロイシユナー ,  ホルスト ボルンデルフアー ,  ミヒアエル ゼバルト ,  ジークフリート ビルクレ ,  ヘルムート アーネ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353047
Publication number (International publication number)：1993011450
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物(溝又は孔)の製造を可能とし、高い透過性を有し、UV線、電子線及びX線に対して敏感であり、高い感度(DUV領域で)並びにサブミクロン範囲でも高い解像能を有するフォトレジストを提供する。【構成】 無水カルボン酸官能基及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含む。

Claim (excerpt)：

サブミクロン範囲の構造物を製造するためのフォトレジストにおいて、無水カルボン酸官能基及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を有するポリマ-成分、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含んでいることを特徴とするフォトレジスト。

IPC (7)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-103049
  
• 特開平2-267558
  
• 特開平2-282746
  
• 特開平3-223863