Pat

J-GLOBAL ID：200903065001132750

磁性発振素子、磁気センサおよび磁気再生装置

Inventor： 工藤 究 ,  佐藤 利江 ,  水島 公一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005332940
Publication number (International publication number)：2007142746
Application date： Nov. 17, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】素子それ自体がマイクロ波の発振源としての機能を有し、電流誘起の磁化の非平衡定常状態を活かして信号磁場を検出することで熱ゆらぎによるS/N比低下を避けることができる磁性発振素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性層を含み、第1の磁気共鳴周波数f1を有する第1の磁気共鳴層と、第2の強磁性層を含み、f1以上の大きさの第2の磁気共鳴周波数f2を有する第2の磁気共鳴層と、前記第1および第2の磁気共鳴層間に形成された非磁性中間層と、前記第1および第2の磁気共鳴層の膜面に垂直に、前記第2の磁気共鳴層から前記第1の磁気共鳴層の方向へ電流を通電する手段とを有し、前記第2と第1の磁気共鳴周波数の差(f2-f1)が、第1の磁気共鳴層が有する磁気共鳴線幅の半分よりも小さい磁性発振素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層を含み、第1の磁気共鳴周波数f1を有する第1の磁気共鳴層と、 第2の強磁性層を含み、f1以上の大きさの第2の磁気共鳴周波数f2を有する第2の磁気共鳴層と、 前記第1および第2の磁気共鳴層間に形成された非磁性中間層と、 前記第1および第2の磁気共鳴層の膜面に垂直に、前記第2の磁気共鳴層から前記第1の磁気共鳴層の方向へ電流を通電する手段とを有し、 前記第2と第1の磁気共鳴周波数の差(f2-f1)が、第1の磁気共鳴層が有する磁気共鳴線幅の半分よりも小さいことを特徴とする磁性発振素子。

IPC (5)：

H03B 15/00 ,  H01L 29/82 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/02 ,  H01L 43/08

FI (5)：

H03B15/00 ,  H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  G01R33/02 A ,  H01L43/08 Z

F-Term (6)：

2G017AA01 ,  2G017AA13 ,  2G017AD27 ,  2G017AD69 ,  2G017CC03 ,  5D034CA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5,695,864号明細書