Pat
J-GLOBAL ID:200903065010100135
マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999093521
Publication number (International publication number):2000284468
Application date: Mar. 31, 1999
Publication date: Oct. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 付着物やゴミ等によるマスク表面の汚染を防ぎ、洗浄の回数を減少または無くして、マスクの長寿命化を図る。【解決手段】 所望のパターンを基板上に露光するために用いられるマスクにおいて、該マスクの被転写体側表面に光触媒を付着させ、被転写体側表面の反対側にペリクルを設ける。
Claim (excerpt):
所望のパターンを基板上に露光するために用いられるマスクにおいて、該マスクの被転写体側表面に光触媒を有し、該マスクの被転写体側表面の反対側にペリクルを設けたことを特徴とするマスク構造体。
IPC (3):
G03F 1/14
, G03F 1/16
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 1/14 G
, G03F 1/14 J
, G03F 1/16 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 531 M
F-Term (13):
2H095BA10
, 2H095BB30
, 2H095BC24
, 2H095BC26
, 2H095BC39
, 5F046AA25
, 5F046CB17
, 5F046DA29
, 5F046GA04
, 5F046GA20
, 5F046GD03
, 5F046GD04
, 5F046GD20
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