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J-GLOBAL ID：200903065024945464

電気デバイスおよびその製造方法

Inventor： ピエール、ハー.ウォールリー ,  フランシスクス、ペー.ウィダーショーフェン ,  ビクター、エム.ヘー.ファン、アクト ,  チュニス、イェー.イキンク ,  ニコラース、ランバート ,  アルベルト、ウェー.マースマン
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007516106
Publication number (International publication number)：2008503085
Application date： Jun. 09, 2005
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

本発明は、パンチスルーダイオード(S)と直列に接続されたプログラマブル抵抗器(PR)を有する電気デバイス(図6)に関する。本発明はまた、そのような電気デバイスの製造方法に関する。前記方法は、第1の導電型とは反対の第2の導電型の半導体材料からなる第2の層と第3の層との間に配置された、第1の導電型の半導体材料からなる第1の層を含む積層体を設けるステップと、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層であって、半導体材料の第2および第3の層のうちの1つと電気的に接触している、プログラマブルな抵抗率を有する材料の層を設けるステップとを含む。

Claim (excerpt)：

パンチスルーダイオード(S)と直列に接続されたプログラマブル抵抗器(PR)を有する電気デバイス(図6)。

IPC (5)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (6)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A

F-Term (18)：

5F083FZ10 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR13 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40