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J-GLOBAL ID：200903065029460477

水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに維持する方法

Inventor： 松岡 大悟 ,  黒飛 吉晴 ,  藤原 由子 ,  原田 利典 ,  松井 久一
Applicant, Patent owner： 広島化成株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003198747
Publication number (International publication number)：2005000901
Application date： Jun. 12, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【目的】水の酸化還元電位を、-400mV〜-600mVに維持すること。【構成】水温10°Cの水道水500mlを殺菌、脱塩素処理を施し、さらに精密濾過処理を施して異味、異臭、不純物を除去し、シリカ系石英斑岩に金属を担持させた還元触媒に接触させながら、水素ガスを、ガス圧0.5MPaで3分間吹き込み水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに低下させ、最外層に2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み12μm)中間層にアルミ箔(厚み9μm)、最内層に特殊ポリエステルフィルム(厚み40μm)の3層構造の容積可変型容器に充填する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸化体と還元体の混合状態にある原料水を、シリカ系石英斑岩に金属を担持させた還元触媒と接触させながら、水素をガス圧0.1〜0.95MPaで、10秒〜10分間吹き込んで原料水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに低下し、次いで、この水を光、酸素、水素、水蒸気の完全バリヤー機能がある容器に充填することから成る酸化還元電位を-400mV〜-600mVに維持する方法。

IPC (4)：

C02F1/68 ,  B32B1/02 ,  B65D65/40 ,  C02F1/70

FI (8)：

C02F1/68 520B ,  C02F1/68 510B ,  C02F1/68 530Z ,  C02F1/68 540H ,  C02F1/68 540Z ,  B32B1/02 ,  B65D65/40 D ,  C02F1/70 Z

F-Term (42)：

3E086AB01 ,  3E086AB02 ,  3E086AD01 ,  3E086BA04 ,  3E086BA13 ,  3E086BA15 ,  3E086BA33 ,  3E086BB02 ,  3E086BB05 ,  3E086BB20 ,  3E086CA11 ,  4D050AA04 ,  4D050AB31 ,  4D050BA14 ,  4D050BC06 ,  4D050BC07 ,  4D050CA09 ,  4D050CA15 ,  4F100AB10B ,  4F100AB33B ,  4F100AK04A ,  4F100AK04E ,  4F100AK07A ,  4F100AK41A ,  4F100AK42C ,  4F100AK48A ,  4F100AK68A ,  4F100AR00D ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DA01 ,  4F100EJ37E ,  4F100EJ38C ,  4F100GB66 ,  4F100JD01 ,  4F100JD03 ,  4F100JD04 ,  4F100JK11D