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J-GLOBAL ID：200903065035269088

レジスト塗布方法及びその装置

Inventor： 福田 健一郎 ,  押田 良忠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198067
Publication number (International publication number)：1994045242
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、LSI等の半導体製造に用いるウェハのレジスト塗布方法及びその装置に係り、レジストの塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化を目的とする。【構成】CPU1の指令により、レジスト5は吹付部17より、CPU1及びコンベヤ制御装置7により駆動するコンベヤ8上のウェハに吹き付けられる、レジスト膜厚検知装置9はウェハ6上のレジスト5の膜厚を測定し、吹付部17及びコンベヤ制御装置7へフィ-ドバックをかけ、常に一定なレジスト膜厚となるように最適化する。【効果】上記構成により、レジスト塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化が図れる。また、ウェハの歩留まりが向上し、高品質なウェハができるため、ステッパ等におけるウェハの高精度アライメントが可能となる効果がある。

Claim (excerpt)：

レジストを吹付部より霧状に吹き出して、連続的に移動するコンベヤ上のウェハに吹き付けることを特徴とするレジスト塗布方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  B05B 13/02 ,  G03F 7/16 501