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J-GLOBAL ID：200903065053920446

薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法

Inventor： オー-キュン クウォン ,  コアン-イェル ジェオン
Applicant, Patent owner： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
Agent (1)： 笹島 富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326364
Publication number (International publication number)：1997218424
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】光透過率の低下なしに開口率を高めて画質を改善し得る薄膜トランジスタの液晶表示素子及びその製造方法に関するものである。【解決手段】光を遮蔽させる導電性物質により蓄積電極121を形成し、該蓄積電極121によりデータライン117と画素電極125間、及びゲートライン101と画素電極125間を完全に遮蔽させて、開口率を増加させると共に混信の発生を防止して液晶の偏角を無くし、画質を改善し得る薄膜トランジスタの液晶表示素子を提供する。

Claim (excerpt)：

ゲートラインから駆動電圧を印加するゲート電極と、該ゲート電極に駆動電圧が印加されるときチャネルを形成して導通されるソース電極及びドレイン電極を有した薄膜トランジスタをスイッチング素子にし、前記ソース電極と絶縁され前記ドレイン電極に接触して形成されたデータラインと、前記ドレイン電極と絶縁され前記ソース電極と接触して形成された画素電極とを具備した薄膜トランジスタの液晶表示素子において、前記データライン及びゲートラインを被覆し、前記画素電極の下部に位置して、前記データラインと画素電極間及びゲートラインと画素電極間で光を遮断する蓄積電極を備えて構成されることを特徴とする薄膜トランジスタの液晶表示素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175964   Applicant：キヤノン株式会社