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J-GLOBAL ID：200903065068202833

無電解スズメッキ浴、及び当該メッキ浴を用いてスズメッキ皮膜を形成したTABのフィルムキャリア

Inventor： 西川 哲治 ,  田中 薫
Applicant, Patent owner： 石原薬品株式会社
Agent (1)： 豊永 博隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094868
Publication number (International publication number)：1998036973
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 金属の析出速度が速くて作業性が良いと同時に、得られたメッキ皮膜のボンディング性が良好である無電解スズメッキ浴を開発する。【解決手段】 (A)第一スズの可溶性塩、(B)有機スルホン酸などの酸、(C)錯化剤よりなるメッキ浴に、標準酸化還元電位が-0.8〜+0.8ボルトの範囲内にある金属の可溶性塩を実質的にスズ合金メッキ皮膜を形成しない範囲内で微量配合した無電解スズメッキ浴である。上記特定の金属可溶性塩を所定の微量範囲内に限定して配合するため、迅速なスズメッキ皮膜の増膜効果と良好なボンディング性を有効に両立できる。このため、低温度で無電解スズメッキを施すことができ、生産性が向上するうえ、TAB方式などにも有効に対応できる。

Claim (excerpt)：

(A)第一スズの可溶性塩、(B)アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、或は、塩酸、硫酸、ホウフッ化水素酸などの無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸、(C)錯化剤よりなる無電解スズメッキ浴において、標準酸化還元電位が-0.8〜+0.8ボルトの範囲内にある金属の可溶性塩を実質的にスズ合金メッキ皮膜を形成しない範囲内で微量配合することを特徴とする無電解スズメッキ浴。

IPC (2)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/52

FI (2)：

C23C 18/31 Z ,  C23C 18/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-072952   Applicant：上村工業株式会社