化学気相成長法および位相シフトマスクブランクの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330799
Publication number (International publication number)：1995188930
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】有機物やOH基の含量の少ない無機系薄膜を低基板温度下においても形成することができる化学気相成長法(プラズマCVD法)と、それを利用した位相シフトマスクブランクの製造法。【構成】基材4を第2電極3に接続するとともに、反応室内の圧力を0.05〜0.4Torr、プラズマを生成させるための高周波電力の電力密度を0.2〜3W/cm2に選定し、かつ原料ガス中に酸素および/または窒素からなるガスを含有させる、接地された第1電極2と、高周波電力が印加させる第2電極3とを互いに対向配置させた状態で収納した減圧下の反応室に所定の原料ガスを導入し、この原料ガスを電極2と3の間でプラズマ化させつつ、前記反応室内に配置した基材4上に無機系薄膜を形成する化学気相成長法。

Claim (excerpt)：

接地された第1電極と、高周波電力が印加される第2電極とを互いに対向配置させた状態で収納した減圧下の反応室に所定の原料ガスを導入し、この原料ガスを前記第1電極と前記第2電極との間でプラズマ化させつつ、前記反応室内に配置した基材上に無機系薄膜を形成する化学気相成長法において、前記基材を前記第2電極に接続するとともに、前記反応室内の圧力を0.05〜0.4Torr、プラズマを生成させるための高周波電力の電力密度を0.2〜3W/cm2 にそれぞれ選定し、かつ、前記原料ガス中に酸素および/または窒素からなるガスを含有させることを特徴とする化学気相成長法。

IPC (6)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 , C23C 16/40 , G03F 1/08 , H01L 21/31 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

基板処理装置および基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-051646 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭63-197329

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